Qualcomm eitab Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 kuumenemist

Qualcomm lükkas X-is tagasi teated, et Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 süsteemikiibil esineb süsteemseid ülekuumenemis- ja termopiirangu probleeme.

Korea väljaanne kirjutas varem, et Samsung võib väidetavate sisemiste testide järel minna järgmisel aastal täielikult üle Exynose kiipidele. Raporti kohaselt kuumenes Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 testides liigselt ning selle jõudlust piirati termiliselt, samal ajal kui Exynos 2700 tulemused olid rahuldavad.

Qualcommi turundusjuht vastas X-is avaldatud arutelule, et hiljutised teated Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 termoprobleemidest ei vasta tõele. Ettevõtte sõnul tunneb ta uhkust oma järgmise põlvkonna tippplatvormi innovatsiooni ja tugeva arengu üle ning teeb tippklassi kasutuskogemuse pakkumiseks tihedat koostööd seadmetootjatega üle kogu maailma.

Qualcommi kinnitusel süsteemseid termoprobleeme ei ole ning Samsungi laboriraport võib olla eksitav. Ettevõtte sõnul häälestavad seadmetootjad platvorme eri kasutusviiside jaoks, et leida tasakaal jõudluse ja energiatarbe vahel. Ühe partneri sisemised testid ei pruugi seega peegeldada lõplike tarbijaseadmete käitumist.

Kiibi näitajad ja testimise piirangud

Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 arhitektuuris on kaks 5,0 GHz taktsagedusega Prime-tuuma ja kuus 4,0 GHz taktsagedusega Performance-tuuma. Kõrge tippjõudlus suurendab nutitelefonide passiivse jahutuse koormust, eriti kuna mobiilikiibid suudavad teoreetiliselt käitada arvutimängude tasemel mänge.

Väljaanne märkis, et ei ole Qualcommi uusima kiibiga seadet ise testinud ega saa laboriväiteid sõltumatult kinnitada. Samas on hiljutiste Snapdragon 8 Elite kiipidega tipptelefonide koormustestides täheldatud märgatavat püsijõudluse langust. See ei tähenda tingimata ülekuumenemist tavakasutuses, kuid tõstatab küsimusi termilise käitumise kohta pikaajalise koormuse korral.