Samsung arendab kolme spetsialiseeritud Z-NAND-mälu varianti: Z-NAND-O, Z-NAND-T ja Z-NAND-I. Igaüks neist on mõeldud eri tüüpi tehisintellekti taristu töökoormuste jaoks.
ZDNeti andmetel tutvustas Samsung augustis USAs toimunud mälutööstuse üritusel Z-NAND-O maketti. Algne uudis avaldati 12. oktoobril 2026 ning selle autorina oli märgitud Min-jun Kim.
Z-NAND-O kasutab räni läbivate ühenduste ehk TSV-tehnoloogiat, et virnastada NAND-kiipe vertikaalselt nelja või kaheksa kihina. Samsungi sõnul on lahenduse eesmärk suurendada andmeedastuskiirust ja energiatõhusust mobiilsete ning teiste ühendatud seadmete seadmesisese tehisintellekti jaoks.
Z-NAND-T keskendub läbilaskevõimele ja ribalaiusele ning on mõeldud suure jõudlusega tehisintellekti andmekeskustele, kus tuleb tõhusalt liigutada suuri andmemahtusid.
Z-NAND-I eelistab sisend- ja väljundoperatsioonide arvu sekundis ehk IOPS-i. See näitaja kirjeldab, kui palju eraldiseisvaid lugemis- ja kirjutamisoperatsioone suudab mälu töödelda.
Samsung ei ole kolme variandi täielikku tootevalikut, tehnilisi näitajaid ega turuletuleku ajakava ametlikult avalikustanud. Kolme eraldi lahenduse arendamine viitab sellele, et ettevõte soovib kohandada NAND-tehnoloogiat konkreetsete tehisintellekti töökoormuste järgi, selle asemel et kasutada üht universaalset lahendust.
Sarnast strateegiat järgib SK Hynix oma AI-NAND-i tooteperes, kuhu kuuluvad jõudlusele suunatud AIN P, salvestustihedust eelistav AIN D ja ribalaiusele keskenduv AIN B.
Tehisintellekti taristu kasvades võib kohandatud NAND-mälu muutuda tavapäraste mälu- ja salvestuslahenduste kõrval üha olulisemaks.
"Minu huvi tehnoloogia vastu algas lapsepõlvest. Tänapäeval püüan kirjutada nii, et ka keerulised teemad oleksid kõigile arusaadavad."
Arutelu
Jäta kommentaar
Kommentaarid
Kommentaare veel pole. Ole esimene.